Wafer di GaAs - Metodo di crescita: VGF (100) Tipo P drogato Zn, 3 "x0,625 mm, 1sp

Wafer di cristallo singolo di GaAs
Metodo di crescita:  VGF
Orientamento: (100)
Dimensioni: 3" dia x 0,625 mm
Lucidatura: un lato lucidato
Doping: Drogato con Zn
Tipo di conduttore: S-C-P
Concentrazione del vettore: (0,74 - 3,60) x 10^19 /cm^3
Mobilità: 59-88 cm^2/V.S
EPD: < 5000/cm^2

resistività: (2,92 - 9,70)x10^-3 ohm.cm
Nota: Wafer pronti per l'EPI

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