Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolati non drogati da 4" D x 0,6 mm, 2SP, grado meccanico

Wafer di cristallo singolo GaAs, grado meccanico
Metodo di crescita: VGF
Orientamento: (100)
Diametro: 4" dia
Spessore: 0,6 mm +/- 0,05 mm
Lucidatura: due lati lucidati;

 wafer NON EPI Ready
Doping: non drogato
Tipo di conduttore: Semi-isolante
Resistività: N/A
Mobilità: N/D
EPD: N/A

Primopiano: EJ(0-1-1)

Piatto minore: EJ(0-11)


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