MTI  |  SKU: GAUa50D05C1US5

Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolati non drogati da 2" D x0,5 mm, 1SP

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Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolati non drogati da 2" D x0,5 mm, 1SP

MTI

  • Wafer di cristallo singolo di GaAs
  • Metodo di crescita:  VGF
  • Orientamento: (100)+/-0,5 gradi
  • Dimensioni: 2" dia x 0,5 mm
  • Lucidatura: lucidato su un solo lato
  • Doping: non drogato
  • Tipo di conduttore: Semi-isolante
  • Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm
  • Mobilità: 4470-6540 cm^2/V.S
  • Resistività: (0.96-5.34) x 10^8  ohm.cm
  • EPD: <5000cm^2
  • Superficie e imballaggio pronti per l'EPI  

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