Wafer di GaAs, metodo di crescita: VGF, (100) semi-isolati non drogati 3 "D x0,5 mm, 1SP

Wafer di cristallo singolo GaAs
Metodo di crescita: VGF
Orientamento: (100)
Dimensioni: 3" dia x 0,5 mm
Lucidatura: un lato lucidato
Doping: non drogato
Tipo di conduttore: Semi-isolante
Resistività: (1,35-4,21)x10^8Ohm.cm
Mobilità: 4360-5640cm^2/V.S
EPD: <5000cm^-2
Piatto primario: EJ(0-1-1)
Piatto secondario: EJ(0-11)
Ra (rugosità media) : < 0,4 nm

Prodotti correlati

Altro GaAs

InSb

Altro InAs

InP

GaSb

Scatola per wafer

Rivestitore di film

Forni RTP