MTI  |  SKU: IPUa50D035C2US

VGF InP (100) non drogato, wafer da 2" x 0,35 mm, 2sp - IPUa50D035C2US

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VGF InP (100) non drogato, wafer da 2" x 0,35 mm, 2sp - IPUa50D035C2US

MTI

Wafer a cristallo singolo di InP

Orientamento: (100)
Dimensioni: 2" di diametro x 0,35 mm
Doping: Non drogato
Tipo di conduzione: S-C
Lucidatura: Lucidato su due lati
Resistività: (2,48-3,34)10^-1 ohm.cm
Mobilità: 4250-4340cm^2/V.S
EPD: <5000 /cm^2
Concentrazione del vettore: (4,34-5,91) ^15 /cmE-3

Superficie e imballaggio pronti per l'EPI


 
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