VGF InP (100) non drogato, wafer da 2" x 0,35 mm, 1sp - IPUa50D035C1US
Impossibile caricare la disponibilità del ritiro
Consegna e spedizione nell'UE
Consegna e spedizione nell'UE
Nel preventivo aggiungeremo i costi di spedizione, assicurazione e sdoganamento.
VGF InP (100) non drogato, wafer da 2" x 0,35 mm, 1sp - IPUa50D035C1US
MTI
Wafer a cristallo singolo di InP
Orientamento: (100)
Dimensioni: 2" di diametro x 0,35 mm
Doping: Non drogato
Tipo di conduzione: S-C
Lucidatura: un lato lucidato
Resistività: (1,8-3,05) x 10^-1 ohm.cm
Mobilità: (4100-4340) cm^2/V.S
EPD: <5000 /cm^2
Concernenza del vettore: (4,72-8,27) x 10^15 /cmE-3
Superficie e imballaggio pronti per l'EPI
Altro GaAs![]() |
InSb![]() |
Altro InAs![]() |
InP ![]() |
GaSb![]() |
Scatola per wafer![]() |
Rivestitore di film![]() |
Forni RTP![]() |