Caricamento...
MTI | SKU:
IPZna50D035C1US
VGF InP (100) drogato Zn, 2" x 0,35 mm, wafer, 1sp
€940,29
Prezzo unitario
/
Non disponibile
Impossibile caricare la disponibilità del ritiro
Consegna e spedizione nell'UE
Consegna e spedizione nell'UE
Nel preventivo aggiungeremo i costi di spedizione, assicurazione e sdoganamento.
VGF InP (100) drogato Zn, 2" x 0,35 mm, wafer, 1sp
€940,29
Prezzo unitario
/
Non disponibile
VGF InP (100) drogato Zn, 2" x 0,35 mm, wafer, 1sp
MTI
Wafer a cristallo singolo di InP
Metodo di crescita: VGF
Orientamento: (100)
Dimensioni: 2" di diametro x 0,35 mm
Doping: Drogato con Zn
Tipo di conduzione: S-C
Lucidatura: un lato lucidato
Resistività: (5,61-6,84)E-2 ohm.cm
Mobilità: 81-85 cmE2/V.S
EPD: < 5000 /cmE2
Concernenza del vettore: (1,09-1,37) E18 /cm^3
Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm
Orientamento: (100)
Dimensioni: 2" di diametro x 0,35 mm
Doping: Drogato con Zn
Tipo di conduzione: S-C
Lucidatura: un lato lucidato
Resistività: (5,61-6,84)E-2 ohm.cm
Mobilità: 81-85 cmE2/V.S
EPD: < 5000 /cmE2
Concernenza del vettore: (1,09-1,37) E18 /cm^3
Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm
Superficie e imballaggio pronti per l'EPI
Prodotti correlati
Altro GaAs |
InSb
|
Altro InAs
|
InP |
GaSb
|
Scatola per wafer
|
Rivestitore di film
|
Forni RTP |
