Templato di AlN non drogato su silicio ( Si <111> Tipo P ) 5mmx5mm x 200 nm - FmAlNonSiBc050505S1FT200nm

Il Template di AlN su silicio è realizzato da un PVDNC metodo PVDNC. Il template di AlN su silicio è un modo economico per sostituire il substrato di cristallo singolo di AlN.

Specifiche tecniche

• Area utile: 90%
• Spessore nominale AlN: 200nm ±10%, film AlN rivestito su un lato e non drogato
• Superficie frontale: <1nm RMS, as-grown
• Superficie posteriore: silicio come ricevuto
• Orientamento AlN: Piano C (00.1)
• Densità di macrodifetti: <1/cm^2
• Base del wafer: Silicio [111] di tipo P, 5x5 x0,5 mm, un lato lucidato

• Per la pulizia standard della mascherina AlN, fare clic qui.
• Fare clic qui per visualizzare i dati tecnici della mascherina AlN..
• Per la scheda delle proprietà fisiche della sagoma AlN, fare clic qui.

 Dati correlati

• AlN SCHEDA DI SICUREZZA

Prodotti correlati

Film sottili A-Z	Wafer di cristallo A-Z	Pulitore al plasma	Contenitori per wafer	Sega per cubettatura	Rivestitore di film