Templato AlN su 4" di silicio (Si <111>tipo P, drogato B) 4 "x 500 nm - FmAlNonSiBc101D05C1FT500nmUS

Il modello AlN su silicio è realizzato da un PVDNC metodo PVDNC. Il template di AlN su silicio è un modo economico per sostituire il substrato di cristallo singolo di AlN.

Specifiche tecniche

• Uarea utile: 90%
  
• Spessore nominale dell'AlN: 500nm ±10%, film di AlN non drogato rivestito su un lato
• Superficie anteriore: come-incorporata
• Superficie posteriore: silicio come ricevuto
• Orientamento AlN: Piano C (00.1)
• Densità dei macrodifetti: <10/cm^2
• Base del wafer: Silicio [111] tipo P, diametro 4" x0,5 mm, un lato lucidato, R<5 ohm.cm

   

• Per la pulizia standard del modello AlN, fare clic qui.
• Fare clic qui per visualizzare i dati tecnici della mascherina AlN..
• Per la scheda delle proprietà fisiche della sagoma AlN, fare clic qui.

 Dati correlati

• AlN SCHEDA DI SICUREZZA
  
  

   

Prodotti correlati

Film sottili A-Z	Wafer di cristallo A-Z	Pulitore al plasma	Contenitori per wafer	Sega per cubettatura	Rivestitore di film