Template GaN su zaffiro (0001) 2" x 0,5 mm, 1sp, film GaN: 20um, semi-isolato - Grado di ricerca

Il GaN Template su zaffiro è realizzato con un metodo basato sull'epitassia in fase di vapore di idruro (HVPE). Durante il processo HVPE, HCl reagisce con Ga fuso per formare GaCl, che a sua volta reagisce con NH3 per formare GaN. Il GaN template è un modo economico per sostituire il substrato di cristallo singolo di GaN.

Specifiche tecniche

        Grado di ricerca

• Dimensioni Rotondo da 2
• Dimensioni 50 mm +/- 2 mm
• Substrato Zaffiro,  Orientamento asse c (0001) +/- 1,0 ^o
• Tipo di conduzione: tipo n,
• Resistività > 1E6 Ohm-cm
• Finitura della superficie anteriore (faccia Ga) Come da coltivazione
• Finitura della superficie posteriore Zaffiro come ricevuto
• Area di superficie utilizzabile >90%
• Area di esclusione dei bordi 1 mm
• Confezione Contenitore per singolo wafer
• Spessore dello strato di GaN   20 micron, (+/- 10%)

Dati correlati

• Cliccare qui per vedere Curva di oscillazione XRD di un modello GaN
• Cliccare qui per vedere Dislocazione vs. spessore della sagoma di GaN

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