Template GaN (200nm) su wafer di silicio, GaN (tipo N, non drogato), Si(111) tipo N drogato P, 10x10x0,279mm, 1sp R:1-10 ohm.cm

Il GaN Template su silicio è realizzato con un metodo basato sull'epitassia in fase di vapore di idruro (HVPE). Durante il processo HVPE, HCl reagisce con Ga fuso per formare GaCl, che a sua volta reagisce con NH3 per formare GaN. Il GaN template su silicio è un modo economico per sostituire il substrato di cristallo singolo di GaN.

• Spessore nominale del GaN: 0,20?m ± 0,1?m
• Finitura superficiale anteriore (Ga-face): <1nm RMS, As-grown,
  
  
• Finitura della superficie posteriore: Silicio ( 111) di tipo N drogato P R:1-10 ohm.cm
  
  
  
• Orientamento del GaN: Piano C (00.1)
• Polarità: Faccia di Ga
• Tipo di conduzione: Non drogato (N-) e resistività: < 0,05 Ohm-cm
  
• Densità di macrodifetti: <1/cm^2
• Base del wafer: Silicio [111], 10x10x0,279 mm, un lato lucidato
• Ttra il silicio e il GaN c'è uno strato tampone di AlN di circa 200 nm. 

• Cliccare qui per vedere Curva di oscillazione XRD del GaN template
• Cliccare qui per vedere Dislocazione vs. spessore della sagoma di GaN

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