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ALC101D05C2US5
substrato in cristallo singolo Al2O3 , <0001> 4 "Dia. x 0,5mm 2sp
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substrato in cristallo singolo Al2O3 , <0001> 4 "Dia. x 0,5mm 2sp
MTI
99,996% Alta purezza, Al2O3 monocristallino
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Zaffiro (cristallo singolo di Al2O3 ) viene ampiamente utilizzato come substrato per i nitruri III-V e per molti altri film epitassiali.
- Orientamento: Asse C[0001] ( +-0.5o) con Standard Flat
- Orientamento: Asse C[0001] +-0,5o
- Diametro: 100 mm +/- 0,1 mm
- Spessore: 500um +/- 25 um
- Piano maggiore: asse A[11-20]+/-0,5o
- Lunghezza del piatto maggiore: 32,5 mm +/- 1,5 mm
- Finitura superficiale: Due lati lucidati
- TTV: <= 25um
- Confezione: Ogni wafer è confezionato in camera bianca di classe 1000.
Proprietà tipiche:
- Struttura cristallina: Esagonale. a=4,758 Angstroms c=12,99 Angstroms,
- Punto di fusione: 2040 gradi C
- Densità: 3,97 grammi/cm2
- Tecnica di crescita: CZ
- purezza dei cristalli: 99,996%.
- Durezza: 9 ( mohs)
- Termico Espansione: 7.5x10-6 (/ oC)
- Conduttività termica: 46.06 @ 0 oC 25.12 @ 100 oC, 12.56 @ 400 oC ( W/(m.K) )
- Costante dielettrica: ~ 9,4 @300K all'asse A ~ 11,58@ 300K a asse C
- Tangente di perdita a 10 GHz: < 2x10-5 sull'asse A , <5 x10-5 sull'asse C
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