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ALC100D065C2
substrato in cristallo singolo Al2O3 , <0001> 100 mm di diametro x 0,65 mm 2sp - ALC100D065C2
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substrato in cristallo singolo Al2O3 , <0001> 100 mm di diametro x 0,65 mm 2sp - ALC100D065C2
MTI
Caratteristiche:
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Zaffiro (cristallo singolo di Al2O3 ) viene ampiamente utilizzato come substrato per i nitruri III-V e per molti altri film epitassiali.
- Orientamento: Piano C spento 0,2+/- 0.1o verso il piano M a sinistra rispetto al Primario; 0 +/- 0.1o verso il piano A
- Diametro: 100 mm+/-0,1
- Spessore: 0,65 mm +/-0,025
- Piano maggiore: asse A[11-20]+/-0,3o
- Lunghezza del piatto maggiore: 32,5 mm +/- 2,5 mm
- Finitura superficiale: due lati Epi- lucidati Ra<=0,3nm (da AFM)
- TTV: <= 15um
- Ordito: <= 20um
- Arco: <= 20um
- Confezione: Ogni wafer è confezionato in camera bianca di classe 1000
Proprietà tipiche:
- Struttura cristallina: Esagonale. a=4,758 Angstroms c=12,99 Angstroms
- Punto di fusione: 2040 gradi C
- Densità: 3,97 grammi/cm2
- Tecnica di crescita: CZ
- Purezza del cristallo: >99.99%
- Durezza: 9 ( mohs)
- Termico Espansione: 7.5x10-6 (/ oC)
- Conduttività termica: 46.06 @ 0 oC, 25.12 @ 100 oC, 12.56 @ 400 oC ( W/(m.K) )
- Costante dielettrica: ~ 9,4 @300K all'asse A ~ 11,58@ 300K a asse C
- Tangente di perdita a 10 GHz: < 2x10-5 sull'asse A, <5 x10-5 sull'asse C
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