Substrato Ge (111) 10x10x 0,5 mm, 2 SP, drogato con Sb, 0,005-0,01 Ohm.cm - GESbc101005S2R0005

Specifiche tecniche

• Metodo di crescita: CZ
• Dimensione del wafer: 10x10x0,5 mm
• Lucidatura di superficie: Due lati lucidati ad epi
• Orientamento: (111)
• Rugosità superficiale: < 8 A (mediante AFM)
• Doping: Drogato con Sb
• Tipo di conduttore: Tipo N
• Resistività: 0,005-0,01 Ohm/cm
• EPD: N/A
• Confezione: camera bianca di classe 1000 in contenitore per wafer 
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