Substrato Ge (110) 10x10x 0,4-0,5 mm, 2 SP, tipo N non drogato, R>50 ohm.cm - GEUe101005S2R50

Specifiche tecniche

• Metodo di crescita: CZ
• Dimensione del wafer: 10x10x0,4-0,5 mm
• Lucidatura superficiale: due lati lucidati otticamente
• Orientamento: (110)
• Finitura superficiale (RMS o Ra) : < 30A
• Doping: Undoped
• Conductor type: N-type
• Resistivity: >50 Ohm/cm
• EPD: N/A
• Confezione: camera bianca di classe 1000 in contenitore per wafer 
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