Substrato Ge (110)+/- 0,7 gradi 10x10x 0,5 mm, 1 SP, drogato con Sb, R:0,1-0,5 ohm.cm

Specifiche tecniche

• Metodo di crescita: CZ
• Dimensione del wafer: 10x10x0,5 mm
• Lucidatura superficiale: un lato lucidato otticamente
• Orientamento: (110) +/- 0,7 gradi
• Finitura superficiale (RMS o Ra) : < 30A
• Doping: Drogato con Sb
• Tipo di conduttore: Tipo N
• Resistività: 0,1-0,5 Ohm/cm
• EPD: N/A
• Confezione: camera bianca di classe 1000 in contenitore per wafer 
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