Substrato Ge: (100) 10x10 x 0,5 mm, 1SP, tipo P drogato Ga, R: 0,0007-0,005ohm.cm

Specifiche del wafer Ge

• Metodo di crescita: CZ
• Dimensione del wafer: 10 x 10 x0,5 mm
• Lucidatura superficiale: un lato epi lucidato
• Orientamento: (100) 
• Rugosità della superficie:   RMS o Ra: ~ 10 A (mediante AFM)
• Doping: Drogato con Ga
• Tipo di conduttore: Tipo P
• Resistività: 0.0007-0.005 Ohm/cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività,
    ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)               
• Confezione: camera bianca di classe 1000 in contenitore per wafer 
  
  

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