Substrato di Ge (111) 5 x 5 x 0,5 mm, 1 SP, tipo P, drogato con Ga, R: 0,005-0,01 ohm.cm

Specifiche tecniche

• Metodo di crescita: CZ
• Dimensione del wafer: 5x5x0,5 mm
• Lucidatura superficiale: un lato epi lucidato
• Orientamento: (111)
• Rugosità superficiale: < 8 A (mediante AFM)
• Doping: Drogato con Ga
• Tipo di conduttore: Tipo P
• Resistività: 0,005-0,01 Ohm/cm
• EPD: N/A
• Confezione: camera bianca di classe 1000 in contenitore per wafer 
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