Substrato di cristallo singolo Ga2O3-beta, <010>+/-1 grado ori, 5 x 5 x 0,35 mm, 2SP, grado di ricerca con "Twin"

• Chimica: ß-Ga2O3 
  
• Metodo di crescita: Czochralski 
• Struttura: Monoclino
• Costante di Lattice: a=12,23A, b=3,04A, c=5,80A, ß=103.7°
• Orientamento: <010> +/-1°  
• Dimensioni: 5 x 5 x 0,35 mm
• Tipo di conduzione: Semi-isolante, drogato con Fe
• Densità di drogaggio (Fe) : ~5E17 da SIMS.
• Finitura superficiale anteriore: Epi-lucidato, RMS <0,5nm 
  Finitura della superficie posteriore: Lucidatura ottica

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