MTI  |  SKU: SiUa50D10C1R10000

Substrato a cristallo singolo di Si, non drogato (100), 2" diax 1,0 mm 1sp, R>10000 ohm.cm - SiUa50D10C1R10000

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Substrato a cristallo singolo di Si, non drogato (100), 2" diax 1,0 mm 1sp, R>10000 ohm.cm - SiUa50D10C1R10000

MTI

  • Cristallo singolo Si  
  • Tipo conduttivo: Non drogato
  • Resistività: > 1000 ohm-cm
  • Dimensioni: 2" di diametro x 0,5 mm
  • Orientamento: (100)
  • Lucidatura: un lato lucidato
  • Rugosità superficiale: < 5A


Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).

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