Quarzo , Grado di sega , Taglio a X, 5x5x1,0 mm, 1 sp
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Quarzo , Grado di sega , Taglio a X, 5x5x1,0 mm, 1 sp
Quarzo , Grado di sega , Taglio a X, 5x5x1,0 mm, 1 sp
MTI
- Cristallo singolo SiO2 (quarzo), grado di sega
- Dimensioni: 5 x 5 x 1,0 mm
- Orientamento: Taglio a X
- Lucidatura: un lato lucidato
- Imballaggio: in camera bianca di classe 1000 con supporto per wafer
- Il wafer di quarzo a cristallo singolo è un substrato eccellente per i filtri a microonde per le industrie di comunicazione wireless. MTI è in grado di fornire wafer di quarzo di alta qualità sia per la ricerca che per la produzione industriale al prezzo più basso.
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Proprietà fisiche tipiche |
Purezza Wt % |
Grado di segatura: > 99,9 Grado ottico: 99,99 |
Struttura cristallina |
Es. a= 4,914 Š c = 5,405 Å |
Metodo di crescita |
Idrotermale |
Durezza |
7,0 Moh's |
Densità |
2,684 g/cm3 |
Punto di fusione |
1610 oC ( punto di transizione di fase: 573,1oC) |
Calore specifico |
0,18 cal/gm |
Costante termoelettrica |
1200 mV/oC @ 300 oC |
Conduttività termica |
0,0033 cal/cm/ oC |
Espansione termica (x10-6/ oC) |
a11: 13.71 a33: 7.48 |
Indice di rifrazione |
1.544 |
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Valore Q Velocità acustica, SAW Costante di frequenza, BAW Accoppiamento piezoelettrico |
1.8 x 106 min. 3160 ( m/sec ) 1661 ( kHz/mm ) |
Inclusione |
Grado IEC II |
 scegliere un altro substrato di quarzo |
 Scegliere il substrato da A -Z |
 Scatola porta wafer |
 Rivestimento in film |
