Orientamento GaAs (111)B, semi-isolante, non drogato, 10x10x 0,625 mm, 1sp,

wafer di cristallo singolo di GaAs
Metodo di crescita: VGF
Orientamento: (111)B

Piano primario: EJ(0-11)+/- 0,5 gradi; Piano secondario: EJ(-211)
Dimensioni: 10X10 x 0,625 mm 
Lucidatura: un lato lucidato
Doping: non drogato
Tipo di conduttore: Semi-isolante

Resistività:(1,57-3,86)E8 ohm.cm
Concentrazione del portatore: N/A
Mobilità: (4120-5860) cm^2/V.S
EPD: N/A

Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm