MTI  |  SKU: GAUa050505S1US

Orientamento GaAs (100), SI (semi-isolante), non drogato 5x5x 0,5mm, 1sp,

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Orientamento GaAs (100), SI (semi-isolante), non drogato 5x5x 0,5mm, 1sp,

MTI

  • wafer di cristallo singolo di GaAs
  • Metodo di crescita: VGF
  • Orientamento: (100)
  • Dimensione: 5x5x0.5mm
  • Lucidatura: un lato lucidato
  • Doping: non drogato
  • Tipo di conduttore: SI, semi-isolante
  • Resistività: (0,1-3,24 )x 10^8 Ohm.cm
    Mobilità: 4500-5630 cm^2/V.S
    EPD: <5000/cm^-2
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