MTI  |  SKU: GATea50D0485C1deg2US

Orientamento GaAs (100), 2 gradi OFF verso [101] +/- 0,5 gradi, drogato Te, tipo N, diametro 2" x 0,485 mm, 1sp, grado primario - GATea50D0485C1deg2US

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Orientamento GaAs (100), 2 gradi OFF verso [101] +/- 0,5 gradi, drogato Te, tipo N, diametro 2" x 0,485 mm, 1sp, grado primario - GATea50D0485C1deg2US

MTI

  • Wafer di cristallo singolo di GaAs, grado PRIME
  • Metodo di crescita: VGF
  • Orientamento: (100) 2 gradi OFF verso [101] +/- 0,5 gradi
  • Dimensioni: 2" dia x 0,485 mm
  • Lucidatura: un lato lucidato
  • Doping: Drogato con Te
  • Tipo di conduttore: Tipo N
  • Concentrazione di portatori: (0,1-0,6) x 10^18 /cm^3
  • Mobilità: 3500-3600 cm^2/V.S
  • Resistività: (2,9-10,7) E-3 ohm-cm
  • EPD: <8000/cm^2
  • Nota: lucidatura EPI: RMS < 5 Angstrom

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