InSb (100) diametro 2" x 0,45 mm, drogato con Te, tipo N, 1 lato lucidato - ISTea50D045C1US

Wafer InSb da 2" (tipo N, drogato con Te)

• Dimensioni:                      2" dia x 0,45 (+/- 0,025 ) mm di spessore
• Orientamento: <100> +/-0.5 ^o
•  Lucidatura:            un lato lucidato
• Imballaggio: Sigillato in azoto in un contenitore per singolo wafer in una camera bianca di classe 100.

Proprietà

• Metodo di crescita   LEC
• Orientazione                                                         (100)  +/- 0.5 ^o
• Orientamento Piano                                                 Due piastre di riferimento a    <100>                
• Doping  Te
• Tipo di conducibilità                                               Tipo N
  
• Concentrazione del portatore (@77 K)                     (0,19-0,50)E18/cc @77K
  Resistività (ohm-cm): 0.0005-0.001 
  Mobilità (cm^2/Vs) (@77K): ( 3,58-5,60 )E +4  
  EPD ( / cm^2) < 200  
  
  
  

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