InSb (100) 5x5x0,5 mm, non drogato, tipo N, 1 lato lucido

  Substrato InSb 10x10x0,5 mm   (tipo N, non drogato)

•  Dimensione: 5x5x0,5 mm
• Orientamento <100> +/-0,5^o 
•  Lucidatura: un lato lucidato (lato posteriore inciso)
• Imballaggio: Sigillato sotto azoto con comtainer per singolo wafer in camera bianca di classe 1000.

Caratteristiche

• Metodo di crescita LEC
• Orientazione (100) +/- 0,5^o                                     
• Doping Non drogato
• Tipo di conducibilità Tipo N
• Concentrazione di portatori (0,1- 0,85)E15 @77K
• Mobilità (5,0-3,5)E5 cm²/Vs
• EPD <200 / cm ²

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