MTI  |  SKU: IPScB50D035C1US

InP-(VGF- Grown) (111)B drogato con S, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

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InP-(VGF- Grown) (111)B drogato con S, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

MTI

  • Wafer a cristallo singolo di InP
  • Metodo di crescita:  VGF
  • Orientamento: (111)B
  • Dimensioni: 2" di diametro x 0,35 mm
  • Doping: Drogato S
  • Tipo di conduzione: S-C-N
  • Lucidatura: un lato lucidato
  • Resistività: (1,26-1,40)x10^-3 ohm.cm
  • Mobilità: (1540-1650) cm^2/v.s
  • EPD: N/A
  • Concentrazione del vettore: (2,71-3,24) x10^18 /cm^3
  • Rugosità superficiale: <4 nm
  • Superficie e imballaggio pronti per l'EPI



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