InP-(VGF- Grown) (111)A drogato Zn-, tipo P, wafer da 2 "x 0,35 mm, 1sp - IPZncA50D035C1US

• Wafer a cristallo singolo di InP
• Metodo di crescita: VGF
• Orientamento: (111)A
• Dimensioni: 2" di diametro x (0,3-0,35) mm
• Doping: Drogato con Zn
• Tipo di conduzione: S-C-P
• Lucidatura: un lato lucidato
• Resistivity:(3.24-3.29)x10^-1 ohm.cm
  
• Mobilità: 105-110 cm^2/V.S
  
• EPD: N/A
• Concentrazione del vettore:(1,76-1,81) x10^17 /cm^3
  
• Ra (ruvidità media) : <4 nm
• Superficie e imballaggio pronti per l'EPI

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