MTI  |  SKU: IPSa101005S2US

InP-VGF- (100) drogato S, wafer 10x10x0,5mm, 2sp - IPSa101005S2US

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InP-VGF- (100) drogato S, wafer 10x10x0,5mm, 2sp - IPSa101005S2US

MTI

Wafer a cristallo singolo di InP
Metodo di crescita:  VGF
Orientamento: (100)
Dimensioni: 10x10 x 0,5 mm
Doping: Drogato S
Tipo di conduzione: S-C-N
Lucidatura: un lato lucidato
Resistività: (1,8-2,0)x10^-3 ohm.cm
Mobilità: 1850-1870 cmE2/V.S
EPD: <2000 /cmE2
Concernente il vettore: (1,7-1,9) x10^18 /cm^3
Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm

 

 
 
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