MTI  |  SKU: IAZncA0505045S1US5

InAs (111)A, tipo P, drogato con Zn 5x5 x 0,45 mm, un lato lucidato - IAZncA0505045S1US5

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InAs (111)A, tipo P, drogato con Zn 5x5 x 0,45 mm, un lato lucidato - IAZncA0505045S1US5

MTI

Wafer InAs da 2" (tipo P)

  • Wafer da 2" InAs  
  • Tipo P, drogato Zn
  • Dimensioni: 5x5x0,45 mm +/-20 micron
  • Orientamento: <111>A
  •  Lucidatura: lucidatura su un lato
  • Resistività: 5.1x10^-2 ohm-cm
  • Imballaggio: in camera bianca di classe 1000 con contenitore per wafer

Caratteristiche

  • Metodo di crescita LEC
  • Orientazione (111) A 
  • Orientamento piatto SEMI  
  • Doping Zn drogato
  • Tipo di conducibilità Tipo P
  • Concentrazione di portatori 6.4E17/ cm3
  • Mobilità 192 cm2/V.S  
  • Resistività 5,1x10^-2 Ohm-Cm
  • EPD 1,9E4 / cm 2
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