Caricamento...
MTI | SKU:
IAUa30D05C1US
InAs (100), non drogato wafer di 30 mm di diametro 1sp - IAUa30D05C1US
€458,85
Prezzo unitario
/
Non disponibile
Impossibile caricare la disponibilità del ritiro
Consegna e spedizione nell'UE
Consegna e spedizione nell'UE
Nel preventivo aggiungeremo i costi di spedizione, assicurazione e sdoganamento.
InAs (100), non drogato wafer di 30 mm di diametro 1sp - IAUa30D05C1US
€458,85
Prezzo unitario
/
Non disponibile
InAs (100), non drogato wafer di 30 mm di diametro 1sp - IAUa30D05C1US
MTI
- Metodo di crescita LEC
- Orientamento (100) ± 0.5 Gradazione
- Doping Non drogato
- Tipo di conducibilità Tipo N
- Concentrazione del vettore <3E16 / cm3
- Mobilità >20000 cm2/V.S
- EPD <5E4 / cm 2
- Spessore standard 500 ± 20 mm
- Diametro standard 30 mm
- Polacco su un lato
Prodotto correlato
Altro InAs
|
InSb
|
InP
|
GaAs |
GaSb |
Box per wafer
|
Rivestitore di film
|
Forni RTP
|
