InAs (100), non drogato Ø 2" x 0,5 mm, un lato lucidato

Wafer di InAs da 2" (tipo N)

• Wafer di InAs da 2" (non drogato, tipo N)
• Dimensioni: 2" dia x 500 micron +/-25 micron
• Orientamento: <100> +/-0.5⁰
•  Lucidatura: lucidatura su un lato
• Imballaggio: in camera bianca di classe 1000 con contenitore per wafer

Proprietà

• Metodo di crescita LEC
• Orientazione (100) +/- 0,5 ^o                                                     
• Doping non drogato
• Tipo di conducibilità Tipo N
• Concentrazione di portatori (1-3,0) x10^16/ cm³
• Mobilità ~20000 cm ²/Vs
• Resistività >=1,0x10^-4 ohm.cm
• EPD <10000  / cm ² 

 
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