MTI | SKU: IAUa1010045S2

InAs (100), non drogato 10x10x0,45mm, 2sp

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InAs (100), non drogato 10x10x0,45mm, 2sp

MTI

- Wafer di InAs: (non drogato, tipo N)
- Dimensioni: 10x10x0,45 mm
- Orientamento: <100> +/-0.5⁰
- Lucidatura: due lati lucidati
- Metodo di crescita: LEC
- Orientamento piatto principale: <110>
- Orientamento bemolle minore: <-110>
- Mobilità: (20000-22000) cm^2/V.s
- Concentrazione del vettore: < 2,1 E16 cm^-3
- EPD: <30000 /cm^2
- Imballaggio: in camera bianca di classe 1000 con contenitore per wafer

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