InAs (100), drogato S, diametro 2" x 0,5 mm, un lato lucidato, cc:(1-30)E17/ cm^3 - IASa50D05C1US

Wafer di InAs da 2" (tipo N)

• Wafer di InAs da 2" (drogato S, tipo N)
• Dimensioni: 2" dia x 500 micron +/-25 micron
• Orientamento: <100> +/-0.5⁰
•  Lucidatura: lucidatura su un lato
• Imballaggio: in camera bianca classe 1000 con contenitore per wafer

Proprietà

• Metodo di crescita LEC
• Orientazione (100) +/- 0,5 ^o
• Orientamento piatto SEMI
• Doping Dotato di S
• Tipo di conducibilità Tipo N
• Concentrazione di portatori (1-30)x10^17/ cm³
• EPD <50000 cm^-2
  
• Resistività:
  
• Mobilità: <10000 cm^2/vs