Ge Substrato a cristallo singolo, tipo N non drogato (100) +/-2,5 gradi, 10x10x0,5 mm, 1sp, R: >50 ohm.cm

Specifiche tecniche

• Metodo di crescita: CZ
• Dimensione del wafer: 10x10x0,5 mm
• Lucidatura superficiale: un lato epi lucidato
• Orientamento: (100)+/-2,5 gradi
• Rugosità della superficie:  RMS o Ra: ~ 10 A (mediante AFM)
• Doping: Non drogato
• Tipo di conduttore: Tipo N
• Resistività: > 50 Ohm/cm  (Se si desidera misurare la resistività in modo accurato,
    si prega di ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)                  
• Confezione: camera bianca di classe 1000 in contenitore per wafer 
  
  

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