Ge substrato a cristallo singolo, non drogato (100)5x5x0,4-0,5mm, 2sp, R>50 ohm.cm

Specifiche tecniche

• Metodo di crescita: CZ
• Dimensione del wafer: 5x5x0,4-0,5 mm
• Lucidatura di superficie: due lati lucidati a caldo
• Orientamento: (100)
• Rugosità superficiale:  RMS o Ra: ~ 10 A (mediante AFM)
• Doping: Non drogato
• Tipo di conduttore: Tipo N
• Resistività: >50 Ohm/cm (Se si desidera misurare la resistività in modo accurato,
    si prega di ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)
• Confezione: camera bianca di classe 1000 in contenitore per wafer 
  
  

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