Ge substrato a cristallo singolo (100) di tipo N, non drogato, 10x10x0,5 mm, 2sp, R>40 ohm.cm

Specifiche tecniche

• Metodo di crescita: CZ
• Dimensione del wafer: 10x10x0,5 mm
• Lucidatura superficiale: due lati epi lucidati
• Orientamento: (100)
• Rugosità della superficie:   RMS o Ra: ~ 10 A (mediante AFM)
• Doping: Non drogato
• Tipo di conduttore: Tipo N
• Resistività: > 40 Ohm/cm  (Se si desidera misurare con precisione la resistività,
    ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)               
• Confezione: camera bianca di classe 1000 in contenitore per wafer 
  
  

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