MTI  |  SKU: GSTea50D045C1US

GaSb (100), tipo N, drogato con Te, wafer da 2 "D x0,5 mm 1sp Concentrazione di portatori: (1-8)x10^17 cm^-3

€861,35

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GaSb (100), tipo N, drogato con Te, wafer da 2 "D x0,5 mm 1sp Concentrazione di portatori: (1-8)x10^17 cm^-3

MTI

Wafer di cristallo singolo di GaSb di alta qualità per l'industria dei semiconduttori. 

  • Dimensioni: 2" di diametro x 0,5 mm,
  • Orientamento: (100)
  • Piatti: SEMI
  • Drogaggio: Drogato con Te,
  • Tipo di conduzione: Tipo N.
  • Mobilità: 2000-3500 cm^2/V.s
  • Concentrazione del portatore: (1-8)x10^17 cm^-3
  • Lucidatura: un lato lucidato.
  • Cresciuto con una speciale tecnica LEC, EPD :<1000/cm2
  • Noi forniamo anche wafer di GaSb di tipo N e P ad alta resistività.
  • Finitura superficiale (Ra) : < 5A 

Proprietà tipiche
Struttura cristallina: cubica a = 6,095 Å
 Densità: 5,619 g/cm3
 Punto di fusione: 710 oC
Espansione termica: 6,1 x 10 -6 /oK
Conduttività termica: 270 mW / cm.k a 300K

Dopante

Tipo

Concentrazione del portatore

( cm-3)

Mobilità

( cm2/V.Sec)

Resistività

( ohm-cm )

EPD

(cm-2)

Non drogato

P

1.0~2.0 x 1017

600 ~ 800

~0.1

<10000

Zn

P+

2.0~5.0 x 1018

300 ~ 500

~0.004

<10000

Te

N

2.0~6.0 x 1017

2500 ~ 3500

~0.05

<10000

Alta resistività

P o N

1.0~2.0 x 1016

460

~ 1.0

<10000

 

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