MTI  |  SKU: GSZna50D045C1US5

GaSb, (100), drogato con Zn, tipo P, diametro 2" x 0,45 mm, 1sp, concentrazione di portatori: (5,8)x10^18 cm^-3

€630,20

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GaSb, (100), drogato con Zn, tipo P, diametro 2" x 0,45 mm, 1sp, concentrazione di portatori: (5,8)x10^18 cm^-3

MTI

  • Alta qualità wafer di cristallo singolo GaSb di alta qualità per l'industria dei semiconduttori. 
  • Dimensioni: 2" di diametro x 0,45 mm,
    • Orientamento: (100)
    • Drogaggio: Drogato Zn,
    • Tipo di conduzione: Tipo P.
    • Concentrazione di portatori: (5,8)x10^18 cm^-3
    • Resistività: 3,9 x10^-3 ohm.cm
    • EPD: < 2x 10^3 cm^-2
    • Mobilità: 270 cm^2/V.S
    • Lucidatura: un lato lucidato.
    • Cresciuto con una speciale tecnica LEC
    • Finitura superficiale (RMS o Ra) : < 5A 
Proprietà tipiche
  •   Struttura cristallina: cubica a = 6,095 Å
  •   Densità: 5,619 g/cm3
  •   Punto di fusione: 710 oC
  •   Espansione termica: 6,1 x 10 -6 /oK
  •   Conduttività termica: 270 mW / cm.k a 300K

Dopante

Tipo

Concentrazione del portatore
( cm-3)

Mobilità
( cm2/V.Sec)

Resistività
( ohm-cm )

EPD
(cm-2)

Non drogato

P

1.0~2.0 x 1017

600 ~ 800

~0.1

<10000

Zn

P+

1.0~3.0 x 1017

200 ~ 500

~0.004

<10000

Te

N

2.0~6.0 x 1017

2500 ~ 3500

~0.05

<10000

Alta resistività

P o N

1.0~2.0 x 1016

460

~ 1.0

<100











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