MTI | SKU: GSZna50D045C1US

GaSb, (100), drogato con Zn, tipo P, diametro 2" x 0,45 mm, 1sp, concentrazione di portatori:(1-3)x10^17 cm^-3

Name: GaSb, (100), drogato con Zn, tipo P, diametro 2" x 0,45 mm, 1sp, concentrazione di portatori:(1-3)x10^17 cm^-3
Brand: MTI
SKU: GSZna50D045C1US
Price: 630.20 EUR
Availability: InStock

€630,20

Consegna e spedizione nell'UE

Nel preventivo aggiungeremo i costi di spedizione, assicurazione e sdoganamento.

MTI

Wafer di cristallo singolo GaSb di alta qualità per l'industria dei semiconduttori.
Dimensioni: 2" di diametro x 0,45 mm,
Orientamento: (100)
Drogaggio: Drogato Zn,
Tipo di conduzione: Tipo P.
Concentrazione di portatori:(1-3)x10^17 cm^-3
EPD: < 10^4 cm^-2
Mobilità: 200-500 cm^2/V.S
Lucidatura: un lato lucidato.
Cresciuto con una speciale tecnica LEC
Finitura superficiale (RMS o Ra) : < 5A

Proprietà tipiche

Struttura cristallina: cubica a = 6,095 Å
Densità: 5,619 g/cm³
Punto di fusione: 710 ^oC
Espansione termica: 6,1 x 10 ^-6 /oK
Conduttività termica: 270 mW / cm.k a 300K

Dopante	Tipo	Concentrazione del portatore ( cm^-3)	Mobilità ( cm²/V.Sec)	Resistività ( ohm-cm )	EPD (cm^-2)
Non drogato	P	1.0~2.0 x 10¹⁷	600 ~ 800	~0.1	<10000
Zn	P⁺	1.0~3.0 x 10¹⁷	200 ~ 500	~0.004	<10000
Te	N	2.0~6.0 x 10¹⁷	2500 ~ 3500	~0.05	<10000
Alta resistività	P o N	1.0~2.0 x 10¹⁶	460	~ 1.0	<100