GaN (0001) 10x10,5x0,35 mm, 2sp, semi-isolante

I substrati di cristallo singolo di GaN sono realizzati con un metodo basato sull'epitassia in fase di vapore di idruri (HVPE). Durante il processo HVPE, HCl reagisce con Ga fuso per formare GaCl, che a sua volta reagisce con NH3 per formare GaN. L'elevato tasso di crescita consente di ottenere spessori di wafer autoportanti in un periodo di tempo conveniente.

Specifiche del substrato

• Orientamento: asse c (0001) +/- 1,0 ^o
• Spessore nominale 350+/- 25 micron
• Dimensioni: 10 mm x 10,5 mm +/- 0,5 mm
• Arco <5 micron
• TTV <10 microns
• Conduction Type: Semi-Insulating
• Resistivity >10⁶ ohm-cm
• Densità di dislocazione <5x10⁶cm-2
• Densità di macrodifetti <=5 cm-2 
• Transmission: => 70% ( clicca qui per vedere la curva di trasmissione )
• Finitura della superficie anteriore  (Faccia Ga), RMS <0,3 nm
• Finitura della superficie posteriore  (Faccia N), RMS <0.5 nm
• Useable area : >90% (esclusione bordi) 

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