MTI  |  SKU: GAUe100D05C1US5

GaAs VGF cresciuto (orientamento 110), non drogato, semi-isolante, 100 mm di diametro x 0,5 mm, 1sp

€402,44

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GaAs VGF cresciuto (orientamento 110), non drogato, semi-isolante, 100 mm di diametro x 0,5 mm, 1sp

MTI

  • Wafer di cristallo singolo di GaAs
  • Metodo di crescita: VGF
  • Orientamento: (110)
  • Dimensioni: 100 mm di diametro x 0,5 mm 
  • Lucidatura: un lato lucidato
  • Doping: Non drogato
  • Tipo di conduttore: S-I
  • Concentrazione di portatori: N/A
  • Mobilità: 5260-6180cm^2/V.S
  • Resistività: (1,05-3,03)x10^8ohm.cm
  • Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm
  • Superficie e imballaggio pronti per l'EPI


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