MTI  |  SKU: GAUe202005S1US

GaAs, VGF cresciuto (110) oi. non drogato, semi-isolante, 20x20x0,5mm, 1sp

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GaAs, VGF cresciuto (110) oi. non drogato, semi-isolante, 20x20x0,5mm, 1sp

MTI

  • Wafer di cristallo singolo di GaAs
  • Metodo di crescita: VGF
  • Orientamento: (110)
  • Dimensioni: 20x20x0,5 mm 
  • Lucidatura: Un lato lucidato
  • Doping: non drogato
  • Tipo di conduttore: S-I
  • Mobilità: 3990-5030 cm^2/V.S
  • Resistività:( 2,5-5,1)x10^8 ohm.cm
  • Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm
  • Nota: wafer pronti per l'EPI


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