MTI  |  SKU: GAUe50D05C1US5

GaAs, orientamento VGF Grown (110), SI, non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 1sp,

€343,85

Consegna e spedizione nell'UE

Nel preventivo aggiungeremo i costi di spedizione, assicurazione e sdoganamento.

GaAs, orientamento VGF Grown (110), SI, non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 1sp,

MTI

  • wafer di cristallo singolo di GaAs
  • Metodo di crescita: VGF
  • Orientamento: (110)
  • Dimensioni: 2" dia x 0,5 mm 
  • Lucidatura: un lato lucidato
  • Doping: non drogato, 
  • Tipo di conduttore:SI ( semi-isolante) 
  • Concentrazione del vettore: N/A
  • Mobilità: 3710-6230cm^2/V.S
  • EPD: N/A
  • Resistività:(0,2-5,5)E8 ohm.cm
  • Ra (rugosità media) : < 0,4 nm
  • Superficie e imballaggio pronti per l'EPI


Prodotti correlati

Altro GaAs


 		InSb

 		Altro InAs

 		 InP 


 		GaSb

 		Scatola per wafer

 Rivestitore di film

 Forni RTP
Torna all'inizio