MTI  |  SKU: GAUe50D05C2US5

GaAs, orientamento VGF (110), SI, non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 2sp - GAUe50D05C2-US

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GaAs, orientamento VGF (110), SI, non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 2sp - GAUe50D05C2-US

MTI

  • Wafer di cristallo singolo di GaAs
  • Metodo di crescita: VGF
  • Orientamento: (110)
  • Dimensioni: 2" dia x 0,5 mm 
  • Lucidatura: due lati lucidati
  • Doping: non drogato, 
  • Tipo di conduttore: SI (semi-isolante)
  • Concentrazione del vettore: N/A
  • Mobilità: 3710-6230 cm^2/V.S
  • EPD: N/A
  • Resistività: (0,8-4,8)E8 ohm.cm
  • Ra (rugosità media) : < 0,4 nm
  • Superficie e imballaggio pronti per l'EPI


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