MTI  |  SKU: GASia100D06C2US5

GaAs, Metodo di crescita: VGF(100) drogato Si, tipo N, diametro 4" x 0,625 mm, 2sp, concentrazione portatori: (1,47-3,78) x 10^18 /cm^3 - GASia100D06C2US5

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GaAs, Metodo di crescita: VGF(100) drogato Si, tipo N, diametro 4" x 0,625 mm, 2sp, concentrazione portatori: (1,47-3,78) x 10^18 /cm^3 - GASia100D06C2US5

MTI

  • Wafer di cristallo singolo di GaAs
  • Metodo di crescita: VGF
  • Orientamento: (100)
  • Dimensioni: 4" dia x 0,625 mm
  • Lucidatura: due lati lucidati
  • Doping: Si drogato
  • Tipo di conduttore: S-C-N
  • Concentrazione di portatori: (1,47-3,78) x 10^18/cm^3
  • Mobilità: (1600 - 2130) cm^2/V.S
  • Resistività: (1,03 - 2,01) E-3 ohm.cm
  • EPD: < 5000cm^2
  • Ra (rugosità media) : < 0,4 nm
  • Superficie e imballaggio pronti per l'EPI 

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