MTI  |  SKU: GASia50D05C2US5

GaAs, metodo di crescita: VGF(100) drogato Si, tipo N, diametro 2" x 0,5mm, 2sp, concentrazione portatori: (3,8-6,2) x 10^16 /cm^3

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GaAs, metodo di crescita: VGF(100) drogato Si, tipo N, diametro 2" x 0,5mm, 2sp, concentrazione portatori: (3,8-6,2) x 10^16 /cm^3

MTI

  • Wafer di cristallo singolo di GaAs
  • Metodo di crescita: VGF
  • Orientamento: (100)
  • Dimensioni: 2" dia x 0,5 mm
  • Lucidatura: due lati lucidati
  • Doping: Si drogato
  • Tipo di conduttore: S-C-N
  • Concentrazione di portatori: (3,8-6,4) x 10^16 /cm^3
  • Mobilità: (3450-4150) cm^2/V.S
  • Resistività: (2,74-4,24) E-2 ohm.cm
  • EPD: < 5000cm^2
  • Ra (rugosità media) : < 0,4 nm
  • Superficie e imballaggio pronti per l'EPI 

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