MTI  |  SKU: GASia76D0625C2US5

GaAs, Metodo di crescita: VGF(100) drogato con Si, tipo N, diametro 3" x 0,625 mm, 2sp, concentrazione di portatori: (1,4-3,96) x 10^18 /cm^3 - GASia76D0625C2US5

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GaAs, Metodo di crescita: VGF(100) drogato con Si, tipo N, diametro 3" x 0,625 mm, 2sp, concentrazione di portatori: (1,4-3,96) x 10^18 /cm^3 - GASia76D0625C2US5

MTI

  • Wafer di cristallo singolo di GaAs
  • Metodo di crescita:  VGF
  • Orientamento: (100)+/- 0,5 gradi
  • Dimensioni: 3" dia x 0,625 mm
  • Lucidatura: due lati lucidati
  • Doping: Si drogato
  • Tipo di conduttore: S-C-N
  • Concentrazione del portatore: (1,06-3,96) x 10^18/cm^3
  • Mobilità: 1420-2480 cm^2/V.S
  • Resistività: (1,1-2,38) E-3 ohm.cm
  • EPD: <1000cm^2
  • Ra (rugosità media) : < 0,4 nm
  • Superficie e imballaggio pronti per l'EPI 
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