GaAs, metodo di crescita: VGF (111)B , SI, non drogato, diametro 4" x 0,625 mm, 2sp

Wafer di cristallo singolo di GaAs
Metodo di crescita: VGF
Orientamento: (111)B

Piano primario: EJ(0-11)+/- 0,5 gradi; Piano secondario: EJ(-211)
Dimensioni: diametro 4" x 0,625 mm
Lucidatura: due lati lucidati
Doping: non drogato
Tipo di conduttore: Semi-isolante

Resistività:(2,13-3,15)E8 ohm.cm
Concentrazione del portatore: N/A
Mobilità: (4890-5360) cm^2/V.S
EPD: N/A

Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm

Nota: wafer pronti per l'EPI