GaAs, metodo di crescita: VGF (111)B, drogato con Si, diametro 2" x 0,35 mm, 2sp - GASicB50D035C2US

Wafer di cristallo singolo di GaAs
Metodo di crescita: VGF
Orientamento: (111)B

Piano primario: EJ(0-11)+/- 0,5 gradi; Piano secondario: EJ(-211)
Dimensioni: 2" dia x 0,35 mm
Lucidatura: due lati lucidati
Doping: Drogato con Si
Tipo di conduttore: S-C-N

Resistività: (1,5-4,1)E-3 ohm.cm
Concentrazione del portatore: (0,6-2,4)x10^18 /c.c
Mobilità: 1750-2450 cm^2/V.S
EPD: N/A

Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm

Nota: wafer pronti per l'EPI